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2017 삼성전자가 주력 상품인 D램에서 또 한 번 세대교체를

최고관리자 0 1,940 2017.12.21 12:24

삼성전자가 주력 상품인 D램에서 또 한 번 세대교체를 이뤄내며 생산성을 30% 높였다. 경쟁자들이 도저히 따라오기 힘든 기술격차를 유지하는 삼성전자의 ‘초격차 전략’이 더욱 힘을 받을 것으로 보인다. 

삼성전자는 “지난달부터 세계 최초로 10나노급 2세대(1y나노) D램인 ‘10나노급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4)’를 양산하고 있다”고 20일 밝혔다. 1나노(나노미터·nm)는 10억분의 1m로, 10나노급이라는 것은 회로의 굵기(선폭)가 10나노대라는 것을 뜻한다. 일반적으로 회로의 굵기가 가늘수록 반도체의 주재료인 웨이퍼에 새길 수 있는 칩의 수가 많아져 생산성이 높아진다. 같은 공정으로 더 많은 제품을 만들 수 있어 가격 경쟁력이 높아지기 때문이다. 삼성전자는 “1세대 제품에 비해 생산성이 30% 높아졌다”고 설명했다. 

삼성전자는 지난해 2월 10나노급 1세대 8Gb D램 양산에 성공하며 세계 최초로 10나노급 D램 시대를 연 바 있다. 이번에 회로 굵기를 더 줄여 세계에서 칩 사이즈가 가장 작은 2세대 제품 양산에 성공하며 21개월 만에 반도체 미세공정의 난제를 또다시 스스로 극복했다. 특히 차세대 제품을 만들기 위해 꼭 필요한 것으로 여겨지던 ‘극자외선(EUV) 노광장비’를 도입하기 전에 제품 개선을 이뤄내 세계 프리미엄 D램 수요 증가에 제때 대응할 수 있는 경쟁력을 구축하게 됐다.

이번 D램 제품은 초고속·초절전·초소형 회로 설계가 적용됐다. 기존 1세대 제품에 비해 속도는 10% 이상 빨라지고 소비 전력량은 15% 이상 절감됐다. 삼성이 2012년 양산한 20나노급 4Gb DDR3와 비교하면 용량과 속도, 소비전력효율이 2배 향상됐다. 또 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 능력을 2배 이상 향상시키는 ‘초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’, 전류가 흐르는 미세 영역을 기존에 쓰던 물질 대신 절연효과가 뛰어난 공기로 채우는 ‘2세대 에어 갭 공정’ 등이 적용됐다.  


이번 제품 개발로 삼성은 경쟁자들이 도저히 따라잡기 힘들 정도로 기술격차를 벌리는 ‘초격차 전략’을 유지할 수 있게 됐다. 현재 세계에서 D램을 만드는 업체 중 점유율이 3% 이상인 곳은 삼성전자(45.8%)와 SK하이닉스(28.7%), 미국 마이크론(21.0%)뿐이다. SK하이닉스는 지난달에야 10나노급 벽을 돌파했고, 마이크론은 아직 20나노급에 머무는 것으로 알려졌다. 

또 ‘반도체 슈퍼사이클(초장기 호황)’이 조만간 끝날 수도 있다는 전망이 등장하는 상황에서 새 기술 개발은 시장 상황이 변해도 계속 압도적 1위를 지켜낼 무기가 될 수 있다. 인공지능(AI)과 빅데이터 등 4차 산업혁명 관련 기술이 고도화할수록 연산과 데이터를 처리하기 위해 최고 사양의 제품을 우선적으로 쓸 수밖에 없기 때문이다.

삼성은 현재 10나노급 2세대 D램의 경우 PC용 제품만 양산하고 있지만 조만간 서버, 모바일, 그래픽용 등 다양한 제품을 내놓고 전면 10나노급 D램 양산체제에 돌입할 방침이다. 진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다”며 “향후 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 강조했다.
 

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